عنوان فارسی مقاله: | یک تقویت کننده کم نویز LNA) UWB) با حالت خطی بالا و کم توان برای کاربرد های 3.1-10.6 GHz در فرآیند های CMOS با ابعاد 0.13um | |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
A low power and high linearity UWB low noise amplifier (LNA) for 3.1–10.6 GHz wireless applications in 0.13 mm CMOS process |
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
دستگاه CMOS‑MEMS IR مبتنی بر ترموکوپل های دو لایه ای |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
A CMOS‑MEMS IR device based on double‑layer thermocouples |
ادامه مطلب ...