| عنوان فارسی مقاله: | طراحی تقویت کننده های توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس با استفاده از فناوری GaN و GaAs pHEMT |
| عنوان انگلیسی مقاله: | |
برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی طراحی تقویت کننده های توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس با استفاده از فناوری GaN و GaAs pHEMT با فرمت پی دی اف و خرید ترجمه فارسی آن با فرمت ورد اینجا کلیک نمایید
چکیده
1.مقدمه
2.اصول PA کلاس F و کلاس F معکوس و متدولوژی طراحی
1-پایه های کلاس F و کلاس F معکوس
2- متدولوژی طراحی
PA3. mmic کلاس F 2 GHzبا استفاده از فناوری GaN
1-طراحی مدار
2-اندازه گیری های PA MMIC کلاس F 2.0 GHz
4.PA کلاس F معکوس 2.45 GHz کم هزینه با استفاده از PHEMT GAAS بسته بندی در فناوری PCB
1- طراحی مدار
2-پیاده سازی تجربی
5.نتیجه گیری
کلمات کلیدی :
PDF]A GaN HEMT Class F Amplifier at 2 GHz with > 80% PAE - CiteSeerX citeseerx.ist.psu.edu/viewdoc/download?doi=10.1.1.478.1891&rep=rep1... by D Schmelzer - 2007 - Cited by 133 - Related articles demonstrates a successful Class F amplifier design using a GaN. HEMT transistor. II. ... between different technologies, operating conditions such as drain bias and ... than observed by [6] using a GaAs pHEMT transistor. Further simulation has ... [PDF](GaN) Microwave Transistor Technology For Radar ... - Aethercomm www.aethercomm.com/articles/9.pdf make GaN technology a prime candidate for use in transmitters for .... number of advantages for power amplifier design, ... GaAs MESFET technologies. GaN ... [PDF]The Technology Underneath GaN: How GaAs Enables ... - TriQuint www.triquint.com/products/d/technology-underneath-gan looked, element in the use of GaN de- vices for the cable market. GaN devices may be combined with market-tested GaAs MESFET technologies ... tion to the unique design challenges posed ... a GaN amplifier designed for a 24v supply. Searches related to Amplifiers Designs using GaN Technology and GaAs pHEMT gan rf power amplifier gaas vs gan gan power amplifier design gan vs ldmos gan amplifier wiki gaas amplifier gan based rf power devices and amplifiers gaas power amplifier design