دانلود رایگان مقاله انگلیسی درباره فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى-نانو وایر-سیلیکون با ترجمه فارسی

عنوان فارسی مقاله:	تکنولوژی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و مستقل به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد
عنوان انگلیسی مقاله:	Dopant-Independent and Voltage-Selectable SiliconNanowire-CMOS Technology for Reconfigurable Logic Applications

برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی تکنولوژی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و مستقل به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد با فرمت پی دی اف و خرید ترجمه فارسی آن با فرمت ورد اینجا کلیک نمایید