دانلود رایگان مقالات ISI با ترجمه فارسی

دانلود رایگان مقالات انگلیسی ISI برای رشته های مدیریت، حسابداری، کامپیوتر، مهندسی برق، اقتصاد، کشاورزی، پزشکی، عمران، معماری و سایر رشته ها از نشریات معتبر همچون الزویر، امرالد، اسپرینگر، IEEE به همراه ترجمه فارسی

دانلود رایگان مقالات ISI با ترجمه فارسی

دانلود رایگان مقالات انگلیسی ISI برای رشته های مدیریت، حسابداری، کامپیوتر، مهندسی برق، اقتصاد، کشاورزی، پزشکی، عمران، معماری و سایر رشته ها از نشریات معتبر همچون الزویر، امرالد، اسپرینگر، IEEE به همراه ترجمه فارسی

مدلی برای ترانزیستور اثر میدانی نانوریبون - مقاله ترجمه شده


عنوان فارسی مقاله:

مدلی سازگار با SPICE برای ترانزیستورهای اثر میدانی نانوریبون و میسر کننده تحلیل تاخیر و توان سطح مدار تحت شرایط تغییر فرآیند


عنوان انگلیسی مقاله:

A SPICE-Compatible Model of Graphene Nano-Ribbon Field-Effect Transistors Enabling Circuit-Level Delay and Power Analysis Under Process Variation


برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی مدلی سازگار با SPICE برای ترانزیستورهای اثر میدانی نانوریبون و میسر کننده تحلیل تاخیر و توان سطح مدار تحت شرایط تغییر فرآیند و خرید ترجمه فارسی آن با فرمت ورد اینجا کلیک نمایید

 







   

  

 

 

  • فهرست مطالب:


چکیده
1) مقدمه
2. ساخت مدارهای دارای GNRFETها
الف. خواص و تکنیک‌های ساخت گرافین
ب. ساختار شبکه و معماری سطح مدار
3. مدلسازی مدارهای GNR
الف. مدل GNR تکی
1) محاسبه زیرباندها
2) یافتن پتانسیل کانال
3) یافتن بار کانال QCH
الف) تقریب نمایی
ب) تقریب پلکانی
ث) تقریب ترکیبی
د) محاسبه بار کانال QCH
.یافتن QCAP
خازن‌های اصلی
مدلسازی جریان
درنظرگیری زبری لبه
ب. مدل GNRFET کامل، Vias و اتصالات میانی
4. نتایج آزمایشگاهی
الف. صحت آزمایی مدل ترانزیستور
1) دستگاه پیش فرض
2) تغییر در پارامترهای طراحی
3) مقایسه با داده‌های اندازه گیری حاصل از GNRFETهای ساخته شده
ب. ارزیابی سطح مدار
1) تأثیر ولتاژ ورودی
2) تأثیر تغییر فرآیند
3) مقایسه عملکرد GNR و Si-CMOS
5. نتیجه گیری

 



کلمات کلیدی :


Graphene nanoribbon field effect transistor for nanometer-size on-chip ...proceedings.spiedigitallibrary.org/proceeding.aspx?articleid=2516077by YM Banadaki - ‎2016 - ‎Cited by 3 - ‎Related articlesApr 16, 2016 - ... "A SPICE-compatible model of graphene nano-ribbon field-effect transistors enabling circuit-level delay and power analysis under process ...A SPICE-Compatible Model of Graphene Nano-Ribbon Field-Effect ...www.academia.edu/.../A_SPICE-Compatible_Model_of_Graphene_Nano-Ribbon_Fie...A SPICE-Compatible Model of Graphene Nano-Ribbon Field-Effect Transistors Enabling Circuit-Level Delay and Power Analysis Under Process Variation ...[PDF]A SPICE-Compatible Model of Graphene Nano-Ribbon Field-Effect ...https://pdfs.semanticscholar.org/c94e/b8e275544936bb85d09ab53a35485a981a61.pdfby YY Chen - ‎Cited by 21 - ‎Related articlesA SPICE-Compatible Model of Graphene Nano-Ribbon Field-Effect Transistors Enabling. Circuit-Level Delay and Power Analysis Under Process Variation.A SPICE-Compatible Model of Graphene Nano-Ribbon Field-Effect ...https://www.researchgate.net/.../261040261_A_SPICE-Compatible_Model_of_Graphene...A SPICE-Compatible Model of Graphene Nano-Ribbon Field-Effect Transistors Enabling Circuit-Level Delay and Power Analysis under Process Variation.